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產品介紹

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深硅刻蝕代加工/硅通孔TSV技術/高密度封裝技術

硅通孔TSV技術/深硅刻蝕代加工

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硅通孔技術（Through Silicon Via， TSV）技術是一項高密度封裝技術，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術，被認為是第四代封裝技術。TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術可以通過垂直互連減小互聯長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。TSV技術的優勢①縮小封裝尺寸；②高頻特性出色，減小傳輸延時、降低噪聲；③降低芯片功耗，據稱，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%；④熱膨脹可靠性高。 刻蝕工藝：是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術?？涛g技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 封裝技術--Package Technology，公司提供TO5/TO39/TO46等各類型TO類的大批量表面貼封，小批量的懸空封裝等，同時可以提供LCC、QFN、DFN等封裝形式的快封。 此產品屬于定制產品，具體需求可根據客戶需求來定制，如果需要設計，請聯系我們客服或者直接電話聯系，聯系方式：18948794270，我們竭誠為您服務！ <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/rmlg.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/85b4.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/mts3.jpg" width="750" height="750" style=""/>
PDMS薄膜PDMS芯片加工微流控芯片定制加工

PDMS微流控芯片代加工

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PDMS技術---PDMS Technology(Polydimethylsiloxane，PDMS)作為一種高分子有機硅化合物。具有光學透明，且在一般情況下，被認為是惰性，無毒，不易燃。聚二甲基硅氧烷（PDMS)是最廣泛使用的硅為基礎的有機聚合物材料，成為一種廣泛應用于微流控等領域的聚合物材料其運用包括在生物微機電中的微流道系統、填縫劑、潤滑劑、隱形眼鏡。 此產品屬于定制產品，可根據客戶需求來定制，如果需要設計，請聯系我們客服或者直接電話聯系，聯系方式：18948794270，我們竭誠為您服務！ <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/U7.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/rylw.jpg" width="750" height="750" style=""/>
5英寸掩膜板標定板光刻掩膜版精密專業繪圖加工

鉻版/光刻玻璃版

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到目前為止，我們有多家公司，多所高校、科研所的長期客戶。包括：湖南正芯微電子探測器有限公司，中國科學院寧波材料技術與工程研究所，上海鴻輝光通科技股份有限公司，中國科學院上海高等研究院，哈爾濱工業大學，賽納生物科技（北京）有限公司，西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司，西部新鋯核材料科技有限公司，蘇州全磊光電有限公司，清華大學深圳研究生院，中國科學院上海技術物理研究所，華南理工大學，江蘇斯米克電子科技有限公司，蘇州蘇大維格光電科技股份有限公司，矽邁（上海）貿易有限公司，蘇州鉭氪電子科技有限公司，上海雙岸電子科技有限公司，北京納米能源與系統研究所，廈門大學，杭州眾能光電科技有限公司，中國信息通信研究院，上海集成電路研發中心有限公司，上海交通大學，哈爾濱工業大學，西安交通大學，中山大學，華中科技大學，廈門大學，北京航空航天大學，吉林大學，北京工業大學，蘇州大學，上?？萍即髮W，蘇州鍇威特半導體有限公司，光奧科技（武漢）有限公司，廣東省半導體產業技術研究院，核工業西南物理研究院等眾多的公司、高校和科研所。 <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/03pg.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/ogpi.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/8tq2.jpg" width="750" height="750" style=""/>
標定板光刻掩膜版精密專業繪圖3/4/5/6英寸定制

鉻版/光刻玻璃版

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到目前為止，我們有多家公司，多所高校、科研所的長期客戶。包括：湖南正芯微電子探測器有限公司，中國科學院寧波材料技術與工程研究所，上海鴻輝光通科技股份有限公司，中國科學院上海高等研究院，哈爾濱工業大學，賽納生物科技（北京）有限公司，西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司，西部新鋯核材料科技有限公司，蘇州全磊光電有限公司，清華大學深圳研究生院，中國科學院上海技術物理研究所，華南理工大學，江蘇斯米克電子科技有限公司，蘇州蘇大維格光電科技股份有限公司，矽邁（上海）貿易有限公司，蘇州鉭氪電子科技有限公司，上海雙岸電子科技有限公司，北京納米能源與系統研究所，廈門大學，杭州眾能光電科技有限公司，中國信息通信研究院，上海集成電路研發中心有限公司，上海交通大學，哈爾濱工業大學，西安交通大學，中山大學，華中科技大學，廈門大學，北京航空航天大學，吉林大學，北京工業大學，蘇州大學，上?？萍即髮W，蘇州鍇威特半導體有限公司，光奧科技（武漢）有限公司，廣東省半導體產業技術研究院，核工業西南物理研究院等眾多的公司、高校和科研所。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/czac.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/g1z3.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/utrl.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/w9em.jpg" width="750" height="750" style=""/>
孔陣列鍍膜磁控濺射精密掩膜版 Shadow Mask

金屬掩膜版/不銹鋼掩膜版

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?主要采用高精度化學腐蝕或者激光切割和焊接工藝來制備不銹鋼掩模板。按照目前的工藝條件，特點如下，供大家參考。1.性價比高的是在0.3mm厚度的304不銹鋼鋼板上通過化學腐蝕制作線條寬0.4mm(400um)，鏤空（挖孔）0.4mm(400um)，誤差是30-60um，速度較快，成本相對較低。2.高精度化學腐蝕可以制作線寬0.1mm(100um)的叉指電極掩膜版，實體部分誤差30um，空隙部分誤差60um，請合理考慮誤差，并根據誤差情況，設計好自己的圖案結構，圖案結構設計合理，能事半功倍。價格相對較貴。 3.超高精度的激光加工可以制作線寬0.04mm(40um)的掩膜版，誤差20um，價格貴。 掩模板可以應用于電子束蒸發，熱蒸發，磁控濺射等設備中，用來制備OPV、OLED、鈣鈦礦太陽能電池，光電探測器，場效應晶體管等各種器件圖形化薄膜和電極。 <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/fl4q.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/23da.jpg" width="750" height="750" style=""/>
定制CVD掩膜板晶體管溝道精密掩膜板/叉指電極

金屬掩膜版/不銹鋼掩膜版

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主要采用高精度化學腐蝕或者激光切割和焊接工藝來制備不銹鋼掩模板。按照目前的工藝條件，特點如下，供大家參考。1.性價比高的是在0.3mm厚度的304不銹鋼鋼板上通過化學腐蝕制作線條寬0.4mm(400um)，鏤空（挖孔）0.4mm(400um)，誤差是30-60um，速度較快，成本相對較低。2.高精度化學腐蝕可以制作線寬0.1mm(100um)的叉指電極掩膜版，實體部分誤差30um，空隙部分誤差60um，請合理考慮誤差，并根據誤差情況，設計好自己的圖案結構，圖案結構設計合理，能事半功倍。價格相對較貴。 3.超高精度的激光加工可以制作線寬0.04mm(40um)的掩膜版，誤差20um，價格貴。 掩模板可以應用于電子束蒸發，熱蒸發，磁控濺射等設備中，用來制備OPV、OLED、鈣鈦礦太陽能電池，光電探測器，場效應晶體管等各種器件圖形化薄膜和電極。備注：一般來說，化學腐蝕工藝制備出來的掩模板/掩膜版更光滑，平整度更好，但價格貴些；高精度激光切割和焊接出來的稍微粗糙點（適合在熱蒸發鍍膜機中蒸鍍電極，掩模板有凹槽設計），一般都會打磨，但是滿足正常的實驗需要一般都沒有問題。有特殊要求的客戶一定要提前說明。請買家盡量提供CAD圖紙，如果實在不能提供，請提供可以準確描述掩模板規格的草圖。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/lpmv.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_150234_052.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/fl4q.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/9m2o.jpg" width="750" height="750" style=""/>
膠片光刻掩膜版聚酯光掩膜光學掩膜版來圖定做

菲林版/膠片

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?掩模板/掩膜版可以應用于OPV Perovskite OFEF PLED Device等各種器件圖形化薄膜和電極。具體價格請和店家聯系，不同的規格和數量價格不同，10元只是方便大家拍。主要采用精密化學腐蝕或者激光切割和焊接工藝來制備不銹鋼掩模板。按照目前的精密化學腐蝕工藝條件，特點如下，供大家參考。1.最低可以在0.1mm的304不銹鋼鋼板上制作實體0.15mm(150um)，空隙（挖孔）0.01mm(100um)，誤差一般正負0.03mm(30um)，成本相對較貴。2.性價比較高的是在0.3mm的304不銹鋼鋼板上制作實體0.4mm(400um)，鏤空（挖孔）0.04mm(400um)，誤差正負0.05mm(50um)，速度快，成本中等。3.直接激光切割后打磨，最低厚度0.75mm，空隙大于1mm，不能是孔陣列（因為激光加工，孔太多，容易變形），速度快，價格便宜。4.高精度激光加工，可以加工空隙40um，間隙500um的圖案，加工難度大，價格較貴。掩模板可以應用于電子束蒸發，熱蒸發，磁控濺射等設備中，用來制備OPV、OLED、鈣鈦礦太陽能電池，光電探測器，場效應晶體管等各種器件圖形化薄膜和電極。備注：一般來說，精密化學腐蝕工藝制備出來的掩模板/掩膜版更光滑，平整度更好，但價格貴些；激光切割和焊接出來的稍微粗糙點，一般都會打磨，但價格便宜些，但是滿足正常的實驗需要一般都沒有問題。有特殊要求的客戶一定要提前說明。請買家盡量提供CAD圖紙，如果實在不能提供，請提供可以準確描述掩模板規格的草圖，我們會根據我們的經驗提供合理化的加工建議后，設計圖紙給客戶確認后，正式下單定做。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/xty8.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/1y83.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/0lnt.jpg" width="750" height="750" style=""/>
1 2 3 4 6 8 12英寸單面拋光硅片高純度單晶硅鍍膜

單拋硅片

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生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝 直徑與工差：100±0.4mm 摻雜類型：N型（摻磷，砷，銻） P型（摻硼） 晶向：<111><100> 電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制 工藝數據：平整度TIR:<3μm 、翹曲度TTV: <10μm 、                 彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆                     粒度< 10 (for size >0.3μm) 用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜                做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、                            SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導體。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_113203_047.png" width="750" height="750" style=""/>
耐酸堿清洗架清洗花籃聚四氟乙烯清洗架圖紙定制

光刻/顯影/刻蝕/去膠耗材

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?聚四氟乙烯具有優良的化學穩定性、耐腐蝕性，是當今世界上耐腐蝕性能最佳材料之一，除熔融堿金屬、三氟化氯、五氟化氯和液氟外，能耐其它一切化學藥品，在王水中煮沸也不起變化，廣泛應用于各種需要抗酸堿和有機溶劑的場合。有密封性、高潤滑不粘性、電絕緣性和良好的抗老化能力、耐溫優異（能在+250℃至-180℃的溫度下長期工作），聚四氟乙烯本身對人沒有毒性。(以上聚四氟乙烯材料特性摘自百度百科）。
石英退火花籃/硅片清洗花籃/清洗架/石英清洗花籃

石英退火花籃/石英清洗花籃

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?實驗室的朋友們，您是否為針對不同規格的玻璃基片(包括ITO、FTO、AZO玻璃基片，圓形硅片，陶瓷片，石英晶片等）而定做耐酸耐堿的石英清洗架/花籃發愁呢？現在不用了，我司專門定做石英清洗架/花籃，各種規格都能做，專業設計，專業制作，只要您提供玻璃基片的規格（長、寬、高度或直徑），我們就能設計合適的清洗架/花籃，包您滿意。具體價格，按清洗架訂購的數量和規格確定。如果有其他石英產品需要重新設計，請直接聯系林先生，我們竭誠為您們解決實際問題。 高純石英具有的獨特的物理、化學特性，使得其在航空、航天、電子、機械以及當今飛速發展的IT產業中占有舉足輕重的地位，特別是其內在分子鏈結構、晶體形狀和晶格變化規律，使其具有的耐高溫、熱膨脹系數小、高度絕緣、耐酸堿腐蝕、壓電效應、諧振效應以及其獨特的光學特性，在許多高科技產品中發揮著越來越重要的作用。(以上高純石英材料特性摘自百度百科）。通常的石英清洗架/花籃規格有：2英寸、3英寸、4英寸等（以上為玻璃片或硅片尺寸），單提手（提手高度可以定做，一般100-200mm），容易從燒杯等容器中提出裝有玻璃片或硅片的石英清洗架/花籃。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/7oqh.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/ukw3.jpg" width="783" height="750" style=""/>
NEM導電碳膠帶電鏡碳膠帶 SEM雙面碳導電膠帶

各種導電膠帶/銀膠/膠墊

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?原裝正品，假一賠十，特價產品，謝絕還價！開票加收6%，謝謝理解，感謝購買！此種雙面膠帶擁有良好的導電性，專門為掃描電鏡（SEM）和X－射線能譜儀（EDS）固定觀測樣本設計。具有良好的黏附性和不可辨結構，是觀測整個樣本的理想背景基片。在EDS中使用這種膠帶不僅可大大降低背景的X射線值，提高觀測精度，還可減小觀測限度。電阻率：< 5歐姆/mm2導電物質：碳粉尺寸：0.16mm 厚 20m 長 基底材質：黑色絕緣無紡布基底和鋁基底 黑色絕緣無紡布基底和鋁基底膠帶區別1.兩款產品卷芯顏色不同，分別是藍色芯和紅色芯；2.兩款膠帶基底材料不同，藍色膠帶基底為無紡布，紅色膠帶為鋁箔；3.兩款膠帶導電性不同，紅色膠帶因基底材料為鋁，導電性更佳；4.兩款膠帶重量不同，紅色膠帶因基底材料為鋁，其重量稍重一些；5.兩款膠帶柔韌性不同，因藍色芯膠帶基底為無紡布，柔韌性更好，習慣使用藍色芯膠帶的用戶，突然接觸到紅色芯碳膠帶，會存在不適應的感覺；6.兩款膠帶在掃描電鏡下觀察到的微觀顆粒尺寸不同，紅色芯膠帶微觀顆粒更?。?lt;/span>7.兩款產品購買者都很多，除去以上物理性能有差別以外，其它特性均一樣。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_154851_083.jpg" width="750" height="750"/>
SPI雙面碳導電膠帶掃描電鏡SEM專用電鏡碳膠帶

各種導電膠帶/銀膠/膠墊

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?此種雙面膠帶擁有良好的導電性，專門為掃描電鏡（SEM）和X－射線能譜儀（EDS）固定觀測樣本設計。具有良好的黏附性和不可辨結構，是觀測整個樣本的理想背景基片。在EDS中使用這種膠帶不僅可大大降低背景的X射線值，提高觀測精度，還可減小觀測限度。電阻率：< 5歐姆/mm2導電物質：碳粉 <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_155652_091.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_155652_090.jpg" width="750" height="750" style=""/>
4英寸 5英寸 6英寸 8英寸 12英寸晶圓隔離紙

隔離紙

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一包200張，一包起售！歡迎廣大客戶前來選購，量大優惠，謝謝！<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/4_leg9.png" width="750" height="750"/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/1_9n0b.png" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/2_w0s7.png" width="750" height="750" style=""/>
防靜電海綿圓墊海綿條防靜電珍珠綿珍珠綿內襯

珍珠棉

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１、防靜電珍珠綿，主要用在晶元片的出貨包裝，用來緩沖作用。因減震效果比較好，固優越于防靜電海綿。主要厚度３ＭＭ，６ＭＭ.２、防靜電海綿，厚度可定制，常規厚度有3MM,5MM,10MM,15MM,20MM,也用于電子之類的減震。規格如需定制，拍前可聯系客服。 <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_094750_017.jpg" width="800" height="800" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_094750_018.jpg" width="800" height="800" style=""/>
SEM掃描電子顯微鏡M4內螺紋樣品臺電鏡樣品臺

各種電鏡樣品臺

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Hitachi日立斜截面M4內螺紋SEM掃描電鏡樣品臺 SEM內螺紋樣品臺，適用于日立掃描電鏡，歡迎廣大科研人員選購，謝謝！<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01lhHORP1PGOeSe4lf8_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_154031_076.jpg" width="750" height="750" style=""/>
2 3 4英寸方片晶圓盒/硅片盒/25片裝/晶片盒石英盒

豎放25片裝

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我司提供2英寸、2.5英寸、3英寸、4英寸硅片盒/晶圓盒（一次放25片，既可以放方形硅片，也可以放圓形硅片），單片硅片盒，芯片包裝盤IC托盤，先后與國內多家高校及科研機構合作，高品質，低價格是我們一直以來的經營宗旨，歡迎廣大客戶選購！<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_091954_005.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_091954_004.jpg" width="750" height="750" style=""/>