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產(chǎn)品介紹

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1 2 3 4 6 8 12英寸單面拋光硅片高純度單晶硅鍍膜

單拋硅片

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生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝 直徑與工差：100±0.4mm 摻雜類型：N型（摻磷，砷，銻） P型（摻硼） 晶向：<111><100> 電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制 工藝數(shù)據(jù)：平整度TIR:<3μm 、翹曲度TTV: <10μm 、                 彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆                     粒度< 10 (for size >0.3μm) 用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜                做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、                            SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_113203_047.png" width="750" height="750" style=""/>
3-50mm單晶拋光硅片 XRD AFM SEM測試基底

單拋硅片

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?高純單晶拋光硅片，已激光劃片，方便大小使用，小硅片尺寸是3、5、10、15、20、25、30、40、50mm的方片，硅片厚度550um-725um，有少量庫存，其他尺寸的需要定制，請聯(lián)系店家。可用于同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM等領(lǐng)域。 生長方法     直拉單晶                拋光           單拋（拋光面有藍膜保護） 晶體取向     <100> 電阻率        1~30工藝參數(shù)     平整度TIR<3μm、撓曲度TTV<10μm、彎曲度BOW<10μm、粗糙度<0.5nm、顆粒度<10（for size>0.3μm） 加工定制    客戶如果需要不同參數(shù)的硅片，請聯(lián)系客服 支付方式    公對公轉(zhuǎn)賬、院校合作、支付寶、貨到付款、銀行匯款 <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/TB2t1mgrf5TBuNjSspmXXaDRVXa_!!3383161813.jpg" width="750" height="750"/>

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