硅通孔技術（Through Silicon Via， TSV）技術是一項高密度封裝技術，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術，被認為是第四代封裝技術。

TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術可以通過垂直互連減小互聯長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。

TSV技術的優勢

①縮小封裝尺寸；

②高頻特性出色，減小傳輸延時、降低噪聲；

③降低芯片功耗，據稱，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%；

④熱膨脹可靠性高。

刻蝕工藝：是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

封裝技術--Package Technology，公司提供TO5/TO39/TO46等各類型TO類的大批量表面貼封，小批量的懸空封裝等，同時可以提供LCC、QFN、DFN等封裝形式的快封。

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