生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝

直徑與工差：100±0.4mm

摻雜類型：N型（摻磷 ， 砷 ， 銻） P型（摻硼）

晶向：<111><100>

電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制

工藝數據：平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、

                彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆                     粒度< 10 (for size >0.3μm)

用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜                做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、                            SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試 基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導體。