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產品介紹

產品介紹

1 2 3 4 6 8 12英寸單面拋光硅片高純度單晶硅鍍膜

單拋硅片

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價格:0.00

生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝 直徑與工差：100±0.4mm 摻雜類型：N型（摻磷，砷，銻） P型（摻硼） 晶向：<111><100> 電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制 工藝數據：平整度TIR:<3μm 、翹曲度TTV: <10μm 、                 彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆                     粒度< 10 (for size >0.3μm) 用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜                做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、                            SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導體。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_113203_047.png" width="750" height="750" style=""/>
3英寸氧化硅片 IC單晶單拋片 SIO2 熱氧化工藝

氧化硅片

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?熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長方法。熱氧化物是一種生長的氧化物層。相對于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度。這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數硅為基礎的設備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，以安撫硅片表面。作為摻雜障礙和表面電介質。    應用范圍：1，刻蝕率測定2，金屬打線測試3，金屬晶圓4，電性絕緣層<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_114426_050.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01SyAdvQ1PGOXluQmoR_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/>
3-50mm單晶拋光硅片 XRD AFM SEM測試基底

單拋硅片

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?高純單晶拋光硅片，已激光劃片，方便大小使用，小硅片尺寸是3、5、10、15、20、25、30、40、50mm的方片，硅片厚度550um-725um，有少量庫存，其他尺寸的需要定制，請聯系店家?？捎糜谕捷椛錁悠份d體、PVD/CVD鍍膜襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM等領域。 生長方法     直拉單晶                拋光           單拋（拋光面有藍膜保護） 晶體取向     <100> 電阻率        1~30工藝參數     平整度TIR<3μm、撓曲度TTV<10μm、彎曲度BOW<10μm、粗糙度<0.5nm、顆粒度<10（for size>0.3μm） 加工定制    客戶如果需要不同參數的硅片，請聯系客服 支付方式    公對公轉賬、院校合作、支付寶、貨到付款、銀行匯款 <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/TB2t1mgrf5TBuNjSspmXXaDRVXa_!!3383161813.jpg" width="750" height="750"/>
4英寸單面雙面拋光硅片高純度單晶硅鍍膜

雙拋硅片

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?生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝直徑與工差：100±0.4mm摻雜類型：N型（摻磷，砷， 銻） P型（摻硼）晶向：<111><100>電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制工藝數據：平整度TIR:<3μm 、翹曲度TTV: <10μm 、                彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆                     粒度< 10 (for size > 0.3μm)<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01PAHndo1PGOeUuewxS_!!3383161813.jpg" width="750" height="750"/>
8英寸拋光硅片P型晶向100/紅外掃描襯底片

雙拋硅片

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型號/摻雜類型 N/P磷、砷、硼可根據客戶要求發貨或定制 晶向 <111><100><110> 可根據客戶要求發貨或定制 電阻率 0.001-20000(Ω·cm)可按照客戶要求發貨或定制 平整度STIR <1μm 發票可提供機打發票 翹曲度TTV <3μm 彎曲的BOW <5μm 粗糙度Ra <0.5nm 顆粒度pewaferr <10顆 (forsize>0.3μm) 包裝方式 1片包裝、5片包裝、10片封裝、25片封裝超潔凈無塵鋁箔真空封裝； 現有庫存厚度μm 雙拋200-2000μm、單拋150-5000μm之間各種厚度硅片均可提供； 到目前為止，我們有多家公司，多所高校、科研所的長期客戶。包括：TCL集團股份有限公司，京東方科技集團股份有限公司，深圳市華星光電技術有限公司，武漢華星光電半導體顯示技術有限公司，應用材料（中國）有限公司，鵬翔飛控作動系統（西安）有限責任公司，廣東美的制冷設備有限公司，馬鞍山太時芯科技有限公司，山東科芯電子有限公司，湖南湘標新材料科技有限公司，北京嘉仕濤科技有限公司，蘇州甫一電子科技有限公司，營口尚能光電材料有限公司，上海東貝真空設備有限公司，北京世紀金光半導體有限公司，杭州纖納光電科技有限公司，蘇州愛彼光電材料有限公司，江西冠能光電材料有限公司，福建中科芯光電科技有限公司，蘇州原位芯片科技有限公司，洛陽市鼎晶電子材料有限公司，深圳市化試科技有限公司，清華大學，上海交通大學，哈爾濱工業大學，西安交通大學，中山大學，華中科技大學，廈門大學，北京航空航天大學，吉林大學，北京工業大學，蘇州大學，上?？萍即髮W，黑龍江大學，中北大學等眾多的公司、高校和科研所。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01SyAdvQ1PGOXluQmoR_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/>
2英寸本征不摻雜無摻雜高阻IC單晶硅片拋光硅片

本征區熔高阻硅片

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型號/摻雜類型 N/P磷、砷、硼可根據客戶要求發貨或定制 晶向 <111><100><110> 可根據客戶要求發貨或定制 電阻率 0.001-20000(Ω·cm)可按照客戶要求發貨或定制 平整度STIR <1μm 發票可提供機打發票 翹曲度TTV <3μm 彎曲的BOW <5μm 粗糙度Ra <0.5nm 顆粒度pewaferr <10顆 (forsize>0.3μm) 包裝方式 1片包裝、5片包裝、10片封裝、25片封裝超潔凈無塵鋁箔真空封裝. <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01PAHndo1PGOeUuewxS_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01flcXxx1PGOeZ2BUKj_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/> 現有庫存厚度μm 雙拋200-2000μm、單拋150-5000μm之間各種厚度硅片均可提供；
3英寸si單晶高純度本征不摻雜高阻IC單晶拋光硅片

本征區熔高阻硅片

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?型號/摻雜類型 N/P磷、砷、硼 可根據客戶要求發貨或定制 晶向 <111><100><110> 可根據客戶要求發貨或定制 電阻率 0.001-20000(Ω·cm)可按照客戶要求發貨或定制 平整度STIR <1μm 發票 可提供機打發票 翹曲度TTV <3μm 彎曲的BOW <5μm 粗糙度Ra <0.5nm 顆粒度pewaferr <10顆 (forsize>0.3μm) 包裝方式 1片包裝、5片包裝、10片封裝、25片封裝超潔凈無塵鋁箔真空封裝； 現有庫存厚度μm 雙拋200-2000μm、單拋150-5000μm之間各種厚度硅片均可提供；到目前為止，我們有多家公司，多所高校、科研所的長期客戶。包括：TCL集團股份有限公司，京東方科技集團股份有限公司，深圳市華星光電技術有限公司，武漢華星光電半導體顯示技術有限公司，應用材料（中國）有限公司，鵬翔飛控作動系統（西安）有限責任公司，廣東美的制冷設備有限公司，馬鞍山太時芯科技有限公司，山東科芯電子有限公司，湖南湘標新材料科技有限公司，北京嘉仕濤科技有限公司，蘇州甫一電子科技有限公司，營口尚能光電材料有限公司，上海東貝真空設備有限公司，北京世紀金光半導體有限公司，杭州纖納光電科技有限公司，蘇州愛彼光電材料有限公司，江西冠能光電材料有限公司，福建中科芯光電科技有限公司，蘇州原位芯片科技有限公司，洛陽市鼎晶電子材料有限公司，深圳市化試科技有限公司，清華大學，上海交通大學，哈爾濱工業大學，西安交通大學，中山大學，華中科技大學，廈門大學，北京航空航天大學，吉林大學，北京工業大學，蘇州大學，上?？萍即髮W，黑龍江大學，中北大學等眾多的公司、高校和科研所。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01SyAdvQ1PGOXluQmoR_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/>
2/3/4/5/6英寸晶圓薄片雙面精致研磨片

研磨片

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型號/摻雜類型 N/P磷、砷、硼 可根據客戶要求發貨或定制 晶向 <111><100><110> 可根據客戶要求發貨或定制 電阻率 0.001-20000(Ω·cm)可按照客戶要求發貨或定制 平整度STIR <1μm 發票 可提供機打發票 翹曲度TTV <3μm 彎曲的BOW <5μm 粗糙度Ra <0.5nm 顆粒度pewaferr <10顆 (forsize>0.3μm) 包裝方式 1片包裝、5片包裝、10片封裝、25片封裝超潔凈無塵鋁箔真空封裝； 現有庫存厚度μm 雙拋200-2000μm、單拋150-5000μm之間各種厚度硅片均可提供；到目前為止，我們有多家公司，多所高校、科研所的長期客戶。包括：TCL集團股份有限公司，京東方科技集團股份有限公司，深圳市華星光電技術有限公司，武漢華星光電半導體顯示技術有限公司，應用材料（中國）有限公司，鵬翔飛控作動系統（西安）有限責任公司，廣東美的制冷設備有限公司，馬鞍山太時芯科技有限公司，山東科芯電子有限公司，湖南湘標新材料科技有限公司，北京嘉仕濤科技有限公司，蘇州甫一電子科技有限公司，營口尚能光電材料有限公司，上海東貝真空設備有限公司，北京世紀金光半導體有限公司，杭州纖納光電科技有限公司，蘇州愛彼光電材料有限公司，江西冠能光電材料有限公司，福建中科芯光電科技有限公司，蘇州原位芯片科技有限公司，洛陽市鼎晶電子材料有限公司，深圳市化試科技有限公司，清華大學，上海交通大學，哈爾濱工業大學，西安交通大學，中山大學，華中科技大學，廈門大學，北京航空航天大學，吉林大學，北京工業大學，蘇州大學，上海科技大學，黑龍江大學，中北大學等眾多的公司、高校和科研所。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01flcXxx1PGOeZ2BUKj_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/>

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