產品介紹
生長方式:直拉單晶(CZ)熱氧化工藝
直徑與工差:100±0.4mm
摻雜類型:N型(摻磷 , 砷 , 銻) P型(摻硼)
晶向:<111><100>
電阻率: 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制
工藝數據:平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、
彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆 粒度< 10 (for size > 0.3μm)
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