光刻膠（photoresist），亦稱為光阻或光阻劑，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關鍵材料，主要應用于集成電路和半導體分立器件的細微圖形加工。

        光刻膠根據在顯影過程中曝光區域的去除或保留可分為兩種－正性光刻膠（positive photoresist）和負性光刻膠（negative photoresist）。

        正性光刻膠之曝光部分發生光化學反應會溶于顯影液，而未曝光部份不溶于顯影液，仍然保留在襯底上，將與掩膜上相同的圖形復制到襯底上。

正性光刻膠曝光顯影前后膠層的變化

  負性光刻膠之曝光部分因交聯固化而不溶于阻顯影液，而未曝光部分溶于顯影液，將與掩膜上相反的圖形復制到襯底上。

負性光刻膠曝光顯影前后膠層的變化